BLM04N08-P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM04N08-P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO-220

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BLM04N08-P datasheet

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BLM04N08-P

Green Product BLM04N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 200A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) R

 7.1. Size:1138K  belling
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BLM04N08-P

Green Product BLM04N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 150A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) R

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