BLM04N08-P Todos los transistores

 

BLM04N08-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM04N08-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 950 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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BLM04N08-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:829K  belling
 blm04n08-p blm04n08-b.pdf pdf_icon

BLM04N08-P

Green Product BLM04N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 200A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

 7.1. Size:1138K  belling
 blm04n06-p blm04n06-b.pdf pdf_icon

BLM04N08-P

Green Product BLM04N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM04N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 150A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON)R

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History: CEM9288 | MTN3607F3 | SM6F02NSW | FDFMJ2P023Z | AF1333P | AP9576GM-HF | BSC014NE2LSI

 

 
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