BLM05N03-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM05N03-D
Código: M05N03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50.2 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 229 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLM05N03-D
BLM05N03-D Datasheet (PDF)
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BLM05N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM05N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 100 A DR .Typ 2.7 m DS(ON)@10V R .Typ 5.2 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology
blm055n04-d.pdf
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BLM055N04 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM055N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DSI 80 A DR .Typ 3.4 m DS(ON)@10V R .Typ 4.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog
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Liste
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