BLM05N03-D Todos los transistores

 

BLM05N03-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM05N03-D
   Código: M05N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 50.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 229 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BLM05N03-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  belling
 blm05n03-d.pdf pdf_icon

BLM05N03-D

BLM05N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM05N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 100 A DR .Typ 2.7 m DS(ON)@10V R .Typ 5.2 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

 9.1. Size:568K  belling
 blm055n04-d.pdf pdf_icon

BLM05N03-D

BLM055N04 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM055N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DSI 80 A DR .Typ 3.4 m DS(ON)@10V R .Typ 4.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog

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