Справочник MOSFET. BLM05N03-D

 

BLM05N03-D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLM05N03-D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 229 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для BLM05N03-D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM05N03-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:501K  belling
 blm05n03-d.pdf pdf_icon

BLM05N03-D

BLM05N03 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM05N03 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 30 V DSI 100 A DR .Typ 2.7 m DS(ON)@10V R .Typ 5.2 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technology

 9.1. Size:568K  belling
 blm055n04-d.pdf pdf_icon

BLM05N03-D

BLM055N04 Power MOSFET 1Description Step-Down Converter The BLM055N04 uses advanced trench , technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 40 V DSI 80 A DR .Typ 3.4 m DS(ON)@10V R .Typ 4.5 m DS(ON)@4.5V FEATURES Advanced Trench Technolog

Другие MOSFET... BLC75N120-F , BLC75N120-Z , BLM03N03-D , BLM04N06-B , BLM04N06-P , BLM04N08-B , BLM04N08-P , BLM055N04-D , IRF730 , BLM06N03-D , BLM06N10-B , BLM06N10-P , BLM075N04-D , BLM07N06-D , BLM07N06-P , BLM07N20-C , BLM08N06-D .

History: SWP9N50D | RJK0226DNS

 

 
Back to Top

 


 
.