BLM08P02-E Todos los transistores

 

BLM08P02-E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM08P02-E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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BLM08P02-E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1827K  belling
 blm08p02-r blm08p02-e.pdf pdf_icon

BLM08P02-E

Green Product BLM08P02 30V P-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08P02 uses advanced trench technology to provide V = -20V,I = -40A (PDFN3.3*3.3) DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) I = -25A (SOP8) Dvariety of applications. R

 9.1. Size:1177K  belling
 blm08n10-p blm08n10-b.pdf pdf_icon

BLM08P02-E

Green Product BLM08N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 110A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.2. Size:1122K  belling
 blm08n06-p blm08n06-d blm08n06-e.pdf pdf_icon

BLM08P02-E

Green Product BLM08N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 80A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.3. Size:675K  belling
 blm08n68-p.pdf pdf_icon

BLM08P02-E

Green Product BLM08N68 68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N68 uses advanced trench technology to provide V = 68V,I = 90A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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History: CS18N70V

 

 
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