BLM08P02-E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM08P02-E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 31 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 520 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.002 Ohm

Encapsulados: SOP8

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BLM08P02-E datasheet

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BLM08P02-E

Green Product BLM08P02 30V P-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08P02 uses advanced trench technology to provide V = -20V,I = -40A (PDFN3.3*3.3) DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide DS(ON) I = -25A (SOP8) D variety of applications. R

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BLM08P02-E

Green Product BLM08N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 110A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.2. Size:1122K  belling
 blm08n06-p blm08n06-d blm08n06-e.pdf pdf_icon

BLM08P02-E

Green Product BLM08N06 60V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N06 uses advanced trench technology to provide V = 60V,I = 80A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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 blm08n68-p.pdf pdf_icon

BLM08P02-E

Green Product BLM08N68 68V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM08N68 uses advanced trench technology to provide V = 68V,I = 90A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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