BLM10P03-D Todos los transistores

 

BLM10P03-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM10P03-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 42 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de BLM10P03-D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLM10P03-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1517K  belling
 blm10p03-d blm10p03-e blm10p03-q blm10p03-r.pdf pdf_icon

BLM10P03-D

BLM10P03Power MOSFET1. DescriptionAdvantagesBLM10P03 uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with lowDS(ON)gate charge. It can be used in a wide variety ofapplications.Key CharacteristicsParameter Value UnitV -30 VDSI -52 AD(TO-252)R 7 mDS(ON)@10V.TypR 10 mDS(ON)@4.5V.TypPin1FeaturesTO-252 Top View SOP-8 Top V

Otros transistores... BLM08N06-D , BLM08N06-E , BLM08N06-P , BLM08N10-B , BLM08N10-P , BLM08N68-P , BLM08P02-E , BLM08P02-R , AO3407 , BLM10P03-E , BLM10P03-Q , BLM10P03-R , BLM12N08-B , BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D .

History: BUK7535-55A

 

 
Back to Top

 


 
.