BLM10P03-Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM10P03-Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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BLM10P03-Q datasheet

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BLM10P03-Q

BLM10P03 Power MOSFET 1. Description Advantages BLM10P03 uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low DS(ON) gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Key Characteristics Parameter Value Unit V -30 V DS I -52 A D(TO-252) R 7 m DS(ON)@10V .Typ R 10 m DS(ON)@4.5V .Typ Pin1 Features TO-252 Top View SOP-8 Top V

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