BLM10P03-Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM10P03-Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 430 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLM10P03-Q
BLM10P03-Q Datasheet (PDF)
blm10p03-d blm10p03-e blm10p03-q blm10p03-r.pdf
BLM10P03Power MOSFET1. DescriptionAdvantagesBLM10P03 uses advanced trench technologyand design to provide excellent R with lowDS(ON)gate charge. It can be used in a wide variety ofapplications.Key CharacteristicsParameter Value UnitV -30 VDSI -52 AD(TO-252)R 7 mDS(ON)@10V.TypR 10 mDS(ON)@4.5V.TypPin1FeaturesTO-252 Top View SOP-8 Top V
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: BLM12P03-R | CS6661 | CEM3172
History: BLM12P03-R | CS6661 | CEM3172
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918