BLM12N08-D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM12N08-D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: TO-252

 Búsqueda de reemplazo de BLM12N08-D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BLM12N08-D datasheet

 ..1. Size:1301K  belling
 blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf pdf_icon

BLM12N08-D

Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:1164K  belling
 blm12p03-r.pdf pdf_icon

BLM12N08-D

Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D DESCRIPTION G The BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) S voltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS D R

Otros transistores... BLM08N68-P, BLM08P02-E, BLM08P02-R, BLM10P03-D, BLM10P03-E, BLM10P03-Q, BLM10P03-R, BLM12N08-B, IRFZ44N, BLM12N08-P, BLM12P03-R, BLM14N08-D, BLM14N08-P, BLM16N10-D, BLM16N10-P, BLM22N10-D, BLM22N10-P