BLM12N08-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM12N08-D
Código: M12N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 420 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLM12N08-D
BLM12N08-D Datasheet (PDF)
blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf
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Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R
blm12p03-r.pdf
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Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS DR
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