BLM12N08-D Todos los transistores

 

BLM12N08-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM12N08-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
     - Selección de transistores por parámetros

 

BLM12N08-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1301K  belling
 blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf pdf_icon

BLM12N08-D

Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:1164K  belling
 blm12p03-r.pdf pdf_icon

BLM12N08-D

Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS DR

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 3SK180-5 | IXTQ130N20T | IXFN200N06 | 2N7639-GA | MTB75N05HDT4 | 2N6904 | ALD1106SBL

 

 
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