BLM12N08-P Todos los transistores

 

BLM12N08-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM12N08-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de BLM12N08-P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLM12N08-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1301K  belling
 blm12n08-p blm12n08-d blm12n08-b.pdf pdf_icon

BLM12N08-P

Green Product BLM12N08 80V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM12N08 uses advanced trench technology to provide V = 80V,I = 70A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

 9.1. Size:1164K  belling
 blm12p03-r.pdf pdf_icon

BLM12N08-P

Pb Free Product BLM12P03 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDESCRIPTION GThe BLM12P03 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON)Svoltages as low as 4.5V. Schematic diagram GENERAL FEATURES V = -30V,I = -20A DS DR

Otros transistores... BLM08P02-E , BLM08P02-R , BLM10P03-D , BLM10P03-E , BLM10P03-Q , BLM10P03-R , BLM12N08-B , BLM12N08-D , IRF3205 , BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E .

History: 2SK2849L | GSM2912 | NCEP020N30QU

 

 
Back to Top

 


 
.