BLM16N10-P Todos los transistores

 

BLM16N10-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM16N10-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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BLM16N10-P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1307K  belling
 blm16n10-p blm16n10-d.pdf pdf_icon

BLM16N10-P

Green Product BLM16N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM16N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 60A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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History: STL120N4F6AG | 2SK3982-01MR | S8045S | AO4932 | 2SK2884 | HMS18N10Q | TK11A60D

 

 
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