BLM16N10-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLM16N10-P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de BLM16N10-P MOSFET
BLM16N10-P Datasheet (PDF)
blm16n10-p blm16n10-d.pdf
Green Product BLM16N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM16N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 60A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R
Otros transistores... BLM10P03-R , BLM12N08-B , BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , IRF540 , BLM22N10-D , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D , BLM80P10-P , BLM8205B , BLM8205E-G .
History: BLM22N10-P
History: BLM22N10-P
Liste
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