BLM22N10-D Todos los transistores

 

BLM22N10-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLM22N10-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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BLM22N10-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  belling
 blm22n10-p blm22n10-d.pdf pdf_icon

BLM22N10-D

Green Product BLM22N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM22N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 50A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

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History: FQB9P25TM | 2SK3417B | VBL1101M | VBJ1201K | AP1333GU | VS3508AE | SSM2302GN

 

 
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