Справочник MOSFET. BLM22N10-D

 

BLM22N10-D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLM22N10-D
   Маркировка: M22N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для BLM22N10-D

 

 

BLM22N10-D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:847K  belling
 blm22n10-p blm22n10-d.pdf

BLM22N10-D BLM22N10-D

Green Product BLM22N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM22N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 50A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top