BLM22N10-D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLM22N10-D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для BLM22N10-D
BLM22N10-D Datasheet (PDF)
blm22n10-p blm22n10-d.pdf

Green Product BLM22N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM22N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 50A DS Dexcellent R , low gate charge. It can be used in a wide R
Другие MOSFET... BLM12N08-B , BLM12N08-D , BLM12N08-P , BLM12P03-R , BLM14N08-D , BLM14N08-P , BLM16N10-D , BLM16N10-P , 50N06 , BLM22N10-P , BLM30DN06L-E , BLM4407 , BLM80P10-D , BLM80P10-P , BLM8205B , BLM8205E-G , BLM8205E-J .
History: GSM8988W | STF5N80K5 | ZXMS6006DT8Q | NCEP60T20A
History: GSM8988W | STF5N80K5 | ZXMS6006DT8Q | NCEP60T20A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56 | c3205 transistor | tip35c datasheet | 2n5401 datasheet