BLM22N10-D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLM22N10-D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 182 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для BLM22N10-D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLM22N10-D даташит

 ..1. Size:847K  belling
 blm22n10-p blm22n10-d.pdf pdf_icon

BLM22N10-D

Green Product BLM22N10 100V N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION KEY CHARACTERISTICS The BLM22N10 uses advanced trench technology to provide V = 100V,I = 50A DS D excellent R , low gate charge. It can be used in a wide R

Другие IGBT... BLM12N08-B, BLM12N08-D, BLM12N08-P, BLM12P03-R, BLM14N08-D, BLM14N08-P, BLM16N10-D, BLM16N10-P, 50N06, BLM22N10-P, BLM30DN06L-E, BLM4407, BLM80P10-D, BLM80P10-P, BLM8205B, BLM8205E-G, BLM8205E-J