BLM8205E-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLM8205E-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 19.5 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0235 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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BLM8205E-G datasheet

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BLM8205E-G

BLM8205E Power MOSFET 1. Description Advantages The BLM8205E uses advanced trench technology to provide excellent R ,low gate DS(ON) charge and operation with gate voltages as low as 0.7V.This device is suitable for use as a Battery protection or other switching application. Key Characteristics Parameter Value Unit SOT23-6 Schematic diagram V 19.5 V DS I 6 A D R 18 m

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BLM8205E-G

Pb Free Product BLM8205A N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D1 D2 Description The BLM8205A uses advanced trench technology to provide G1 G2 excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. S1 S2 Schematic diagram General Features VDS = 19.

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BLM8205E-G

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BLM8205E-G

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