BLP075N10G-P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLP075N10G-P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 55 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 841 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLP075N10G-P

BLP075N10G-P Datasheet (PDF)

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blp075n10g-p blp075n10g-b.pdf

BLP075N10G MOSFET Step-Down Converter , 1Description BLP075N10G, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This is suitable device for Synchronous rectification and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Param

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: