BLP20N10L-D Todos los transistores

 

BLP20N10L-D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLP20N10L-D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO-252

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BLP20N10L-D datasheet

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BLP20N10L-D

BLP20N10L MOSFET , 1 Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSS I 30.5 A D R 16 m DS(on

 4.1. Size:1334K  belling
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BLP20N10L-D

BLP20N10L MOSFET , 1 Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSS I 29.6 A D R 17 m DS(on

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History: ZXMN20B28K | TK150E09NE

 

 

 

 

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