BLP20N10L-D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLP20N10L-D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 256 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLP20N10L-D

BLP20N10L-D Datasheet (PDF)

..1. Size:929K belling
blp20n10l-d.pdf

BLP20N10L MOSFET , 1Description BLP20N10L, the N-channel Enhanced Power MOSFETs, is obtained by advanced double trench technology which reduce the conduction loss, and improve switching performance. This is suitable device for LED backlighting and high speed switching applications. KEY CHARACTERISTICS Parameter Value Unit V 100 V DSSI 30.5 A DR 16 m DS(on

4.1. Size:1334K belling
blp20n10l-q.pdf

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Liste

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