MPSD70M600B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPSD70M600B
   Código: MP70M600B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPSD70M600B

MPSD70M600B Datasheet (PDF)

..1. Size:1094K cn marching-power
mpsd70m600b.pdf

MPSD70M600B700V N-Channel Super Junction MOSFETFeaturesBVDSS=700 V, ID =7.3 ARDS(on) @ :0.60 (Max) VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg)D Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche TestedS Built-in ESD DiodeGTO-252Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Power Factor Correction (PFC

7.1. Size:1277K cn marching-power
mpsd70m910b.pdf

MPSD70M910B700V N-Channel Super Junction MOSFETFeaturesBVDSS=700 V, ID =5.2 ARDS(on) @ :0.91 (Max) VGS=10VD Very Low FOM (RDS(on) X Qg) Extremely low switching loss Excellent stability and uniformityS 100% Avalanche TestedGTO-252 Built-in ESD DiodeApplication Switch Mode Power Supply (SMPS) TV power & LED Lighting Power

7.2. Size:1258K cn marching-power
mpsd70m710b.pdf

MPSD70M710B700V N-Channel Super Junction MOSFETFeaturesBVDSS=700 V, ID =6.4 ARDS(on) @ :0.71 (Max) VGS=10V Very Low FOM (RDS(on) X Qg)D Extremely low switching loss Excellent stability and uniformity 100% Avalanche TestedS Built-in ESD DiodeGTO-252Application Switch Mode Power Supply (SMPS) Power Factor Correction (PFC)

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: