MPVD2N65BK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MPVD2N65BK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MPVD2N65BK

MPVD2N65BK Datasheet (PDF)

..1. Size:892K cn marching-power
mpva2n65bk mpvu2n65bk mpvd2n65bk.pdf

MPVX2N65BK SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURES APPLICATIONSBVDSS: 650V, ID=2A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on) : 4.8(Max) @VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very Low FOM (RDS(on) *Qg) Power Factor Correction (PFC)Excellent stability and uniformity AC to DC ConvertersDGTO-252TO-220F STO-251Ordering InformationType NO. Mark

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History: PHD78NQ03L | IXTX200N10L2

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: