Справочник MOSFET. MPVD2N65BK

 

MPVD2N65BK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPVD2N65BK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVD2N65BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:892K  cn marching-power
 mpva2n65bk mpvu2n65bk mpvd2n65bk.pdf pdf_icon

MPVD2N65BK

MPVX2N65BK SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURES APPLICATIONSBVDSS: 650V, ID=2A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on) : 4.8(Max) @VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very Low FOM (RDS(on) *Qg) Power Factor Correction (PFC)Excellent stability and uniformity AC to DC ConvertersDGTO-252TO-220F STO-251Ordering InformationType NO. Mark

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.