MPVD2N65BK. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPVD2N65BK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MPVD2N65BK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVD2N65BK даташит

 ..1. Size:892K  cn marching-power
 mpva2n65bk mpvu2n65bk mpvd2n65bk.pdf pdf_icon

MPVD2N65BK

MPVX2N65BK Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS BVDSS 650V, ID=2A Switch Mode Power Supply (SMPS) RDS(on) 4.8 (Max) @VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS) Very Low FOM (RDS(on) *Qg) Power Factor Correction (PFC) Excellent stability and uniformity AC to DC Converters D G TO-252 TO-220F S TO-251 Ordering Information Type NO. Mark

Другие IGBT... MPVP20N50B, MPVW20N50B, MPVT20N50B, MPVA20N50F, MPVA20N65F, MPVP20N65F, MPVA2N65BK, MPVU2N65BK, IRFZ46N, MPVA4N65F, MPVU4N65F, MPVD4N65F, MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD