Справочник MOSFET. MPVD2N65BK

 

MPVD2N65BK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MPVD2N65BK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MPVD2N65BK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVD2N65BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:892K  cn marching-power
 mpva2n65bk mpvu2n65bk mpvd2n65bk.pdf pdf_icon

MPVD2N65BK

MPVX2N65BK SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURES APPLICATIONSBVDSS: 650V, ID=2A Switch Mode Power Supply (SMPS)RDS(on) : 4.8(Max) @VGS=10V Uninterruptible Power Supply (UPS)Very Low FOM (RDS(on) *Qg) Power Factor Correction (PFC)Excellent stability and uniformity AC to DC ConvertersDGTO-252TO-220F STO-251Ordering InformationType NO. Mark

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: LIRFZ44N | FDD6680AS

 

 
Back to Top

 


 
.