MPVU4N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MPVU4N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
MPVU4N65F Datasheet (PDF)
mpva4n65f mpvu4n65f mpvd4n65f.pdf

MPVX4N65F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 650V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 2.8(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack
mpva4n70f mpvu4n70f mpvd4n70f.pdf

MPVX4N70F SeriesPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 700V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 3.5(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220F TO-251 TO-252SOrdering InformationType NO. Marking Pack
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History: AP80SL990BI | AOD7N60 | SI3460DV | HRLO110N03K | SIS447DN | MTP5103N3 | CS10N80P
History: AP80SL990BI | AOD7N60 | SI3460DV | HRLO110N03K | SIS447DN | MTP5103N3 | CS10N80P



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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