MPVU4N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPVU4N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.8 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для MPVU4N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVU4N65F даташит

 ..1. Size:1056K  cn marching-power
 mpva4n65f mpvu4n65f mpvd4n65f.pdf pdf_icon

MPVU4N65F

MPVX4N65F Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS l BVDSS 650V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS) l RDS(on) 2.8 (Max) @VGS=10V l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Very Low FOM (RDS(on) *Qg) l Power Factor Correction (PFC) l Excellent stability and uniformity l AC to DC Converters D G TO-220F TO-251 TO-252 S Ordering Information Type NO. Marking Pack

 8.1. Size:1503K  cn marching-power
 mpva4n70f mpvu4n70f mpvd4n70f.pdf pdf_icon

MPVU4N65F

MPVX4N70F Series Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS l BVDSS 700V, ID=4A l Switch Mode Power Supply (SMPS) l RDS(on) 3.5 (Max) @VGS=10V l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Very Low FOM (RDS(on) *Qg) l Power Factor Correction (PFC) l Excellent stability and uniformity l AC to DC Converters D G TO-220F TO-251 TO-252 S Ordering Information Type NO. Marking Pack

Другие IGBT... MPVT20N50B, MPVA20N50F, MPVA20N65F, MPVP20N65F, MPVA2N65BK, MPVU2N65BK, MPVD2N65BK, MPVA4N65F, IRLB3034, MPVD4N65F, MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, MPVA7N65F, MPVU5N50CCFD, MPVD5N50CCFD, FDM20R120AN4G