MPVA7N65F Todos los transistores

 

MPVA7N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MPVA7N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 89 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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MPVA7N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1011K  cn marching-power
 mpva7n65f.pdf pdf_icon

MPVA7N65F

MPVA7N65FPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 650V, ID=7A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 1.4(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220FSOrdering InformationType NO. Marking Package CodeMPVA7N65F M

Otros transistores... MPVU2N65BK , MPVD2N65BK , MPVA4N65F , MPVU4N65F , MPVD4N65F , MPVA4N70F , MPVU4N70F , MPVD4N70F , AO3407 , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G .

 

 
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