MPVA7N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MPVA7N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 89 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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MPVA7N65F datasheet

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MPVA7N65F

MPVA7N65F Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS l BVDSS 650V, ID=7A l Switch Mode Power Supply (SMPS) l RDS(on) 1.4 (Max) @VGS=10V l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Very Low FOM (RDS(on) *Qg) l Power Factor Correction (PFC) l Excellent stability and uniformity l AC to DC Converters D G TO-220F S Ordering Information Type NO. Marking Package Code MPVA7N65F M

Otros transistores... MPVU2N65BK, MPVD2N65BK, MPVA4N65F, MPVU4N65F, MPVD4N65F, MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, EMB04N03H, MPVU5N50CCFD, MPVD5N50CCFD, FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, FDM40R120AN4G, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G