MPVA7N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MPVA7N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MPVA7N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVA7N65F даташит

 ..1. Size:1011K  cn marching-power
 mpva7n65f.pdf pdf_icon

MPVA7N65F

MPVA7N65F Power MOSFET MPSW60M041 FEATURES APPLICATIONS l BVDSS 650V, ID=7A l Switch Mode Power Supply (SMPS) l RDS(on) 1.4 (Max) @VGS=10V l Uninterruptible Power Supply (UPS) l Very Low FOM (RDS(on) *Qg) l Power Factor Correction (PFC) l Excellent stability and uniformity l AC to DC Converters D G TO-220F S Ordering Information Type NO. Marking Package Code MPVA7N65F M

Другие IGBT... MPVU2N65BK, MPVD2N65BK, MPVA4N65F, MPVU4N65F, MPVD4N65F, MPVA4N70F, MPVU4N70F, MPVD4N70F, EMB04N03H, MPVU5N50CCFD, MPVD5N50CCFD, FDM20R120AN4G, FDM30R650AN4G, FDM40R120AN4G, FDM50R120AN4G, FDM60R65AN4G, FDM80R120AN4G