MPVA7N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

MPVA7N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MPVA7N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MPVA7N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MPVA7N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1011K  cn marching-power
 mpva7n65f.pdf pdf_icon

MPVA7N65F

MPVA7N65FPower MOSFETMPSW60M041FEATURESAPPLICATIONSl BVDSS: 650V, ID=7A l Switch Mode Power Supply (SMPS)l RDS(on) : 1.4(Max) @VGS=10Vl Uninterruptible Power Supply (UPS)l Very Low FOM (RDS(on) *Qg)l Power Factor Correction (PFC)l Excellent stability and uniformityl AC to DC ConvertersDGTO-220FSOrdering InformationType NO. Marking Package CodeMPVA7N65F M

Другие MOSFET... MPVU2N65BK , MPVD2N65BK , MPVA4N65F , MPVU4N65F , MPVD4N65F , MPVA4N70F , MPVU4N70F , MPVD4N70F , 2SK3918 , MPVU5N50CCFD , MPVD5N50CCFD , FDM20R120AN4G , FDM30R650AN4G , FDM40R120AN4G , FDM50R120AN4G , FDM60R65AN4G , FDM80R120AN4G .

History: IPB60R060P7

 

 
Back to Top

 


 
.