FDM20R120AN4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDM20R120AN4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 428 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-4

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FDM20R120AN4G Datasheet (PDF)

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fdm20r120an4g.pdf

FDM20R120AN4GSilicon Carbide Power MOSFET 1200V, 100A, 20mGeneral DescriptionThis product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications here highefficiency and high reliability are required.Features High Blocking Voltag High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverserecoveryApplicat

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: