FDM20R120AN4G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDM20R120AN4G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 428 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 248 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.029 Ohm

Encapsulados: TO-247-4

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FDM20R120AN4G datasheet

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FDM20R120AN4G

FDM20R120AN4G Silicon Carbide Power MOSFET 1200V, 100A, 20m General Description This product family offers state of the art performance. It is designed for high frequency applications here high efficiency and high reliability are required. Features High Blocking Voltag High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery Applicat

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