FIR18N65FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR18N65FG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 51 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR18N65FG
FIR18N65FG Datasheet (PDF)
fir18n65fg.pdf
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fir18n20g.pdf
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