FQP34N20 Todos los transistores

 

FQP34N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP34N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FQP34N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:732K  fairchild semi
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FQP34N20

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 200V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 31A, 200V, RDS(on) = 0.075 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 60 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 55 pF)This advanced technology has been

 ..2. Size:1824K  onsemi
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FQP34N20

 ..3. Size:750K  cn vbsemi
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FQP34N20

FQP34N20www.VBsemi.twN-Channel 200 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) RDS(on) () ID (A) Qg (Typ) 175 C Junction TemperatureRoHS0.060 at VGS = 10 V COMPLIANT 40 New Low Thermal Resistance Package200 950.070 at VGS = 6 V38.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONSTO-220AB IndustrialDGG D

 0.1. Size:674K  fairchild semi
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FQP34N20

June 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP34N20L200V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 31A, 200V, RDS(on) = 0.075 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 55 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 52 pF)This advanced technology has

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History: IRLML6402

 

 
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