FIR8N65FG Todos los transistores

 

FIR8N65FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FIR8N65FG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

FIR8N65FG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3949K  first semi
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FIR8N65FG

FIR8N65FG650V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=28nC (Typ.). BVDSS=650V,ID=7AG RDS(on) : 1.30 (Max) @VG=10VD S 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Y = YearA = Assembly LocationWW = W

 8.1. Size:2461K  first semi
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FIR8N65FG

FIR8N60FG600V N-Channel MOSFET PIN Connection TO-220FFeatures: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge :Qg=25.9nC (Typ.). BVDSS=600V,ID=7A RDS(on) : 1.2 (Max) @VG=10VG D S 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly

 9.1. Size:4035K  first semi
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FIR8N65FG

FIR8N80FGAdvanced N-Ch Power MOSFETPIN Connection TO-220FFeatures Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :Qg= 27nC (Typ.) G BVDSS=800V,ID=7.5A D S RDS(on) : 1.9 (Max) @VG=10V gSchematic dia ram D 100% Avalanche Tested G S Marking DiagramY = YearA

 9.2. Size:3128K  first semi
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FIR8N65FG

FIR8N70FGPIN Connection TO-220F700V N-Channel MOSFET Features: Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics Extended Safe Operating Area Unrivalled Gate Charge :Qg= 22nC (Typ.)G BVDSS=700V,ID=8AD S RDS(on) : 1.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche TestedgSchematic dia ram D G S Marking DiagramY = YearA = Assembly Loc

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