FIR9N50FG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FIR9N50FG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FIR9N50FG datasheet

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FIR9N50FG

FIR9N50FG N-Channel Power MOSFET PIN Connection TO-220F VDSS 500 V ID 9 A PD (TC=25 ) 130 W RDS(ON) 0.68 G Features D S Fast Switching g Schematic dia ram ) Low ON Resistance(Rdson 0.85 D Low Gate Charge (Typical Data 13nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical 12pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Applications Power switch circu

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FIR9N50FG

FIR9N65LG 9A 650V N-CHANNEL MOSFET-E GENERAL DESCRIPTION PIN Connection TO-252(D-PAK) FIR9N65LG is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTM high-voltage planar VDMOS technology. The improved process and D cell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching

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FIR9N50FG

FIR9N90FG 900V N-Channel MOSFET -T TO-220F Features Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge Qg= 45nC (Typ.). BVDSS=900V,ID=9A RDS(on) 1.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested 1.Gate (G) 2.Drain (D) 3.Source (S) Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise noted)

Otros transistores... FIR80N03LG, FIR80N08PG, FIR80N10LG, FIR8N60FG, FIR8N65FG, FIR8N70FG, FIR8N80FG, FIR96N08PG, IRF2807, FIR9N65LG, FIR9N90FG, DAC014N120Z5, DAC015N065Z2, DAC016N120P2, DAC016N120Z2, DAC020N065Z1, DAC021N120Z4