FIR9N50FG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FIR9N50FG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 14.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 59.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FIR9N50FG
FIR9N50FG Datasheet (PDF)
fir9n50fg.pdf
FIR9N50FGN-Channel Power MOSFETPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 9 APD (TC=25) 130 WRDS(ON) 0.68 G Features D S Fast Switching gSchematic dia ram ) Low ON Resistance(Rdson 0.85 D Low Gate Charge (Typical Data:13nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical:12pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Applications Power switch circu
fir9n65lg.pdf
FIR9N65LG9A 650V N-CHANNEL MOSFET-E GENERAL DESCRIPTION PIN Connection TO-252(D-PAK)FIR9N65LG is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTMhigh-voltage planar VDMOS technology. The improved process and Dcell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
fir9n90fg.pdf
FIR9N90FG900V N-Channel MOSFET -TTO-220F Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge: Qg= 45nC (Typ.). BVDSS=900V,ID=9A RDS(on) : 1.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested1.Gate (G)2.Drain (D)3.Source (S)Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise noted)
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Liste
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