FIR9N50FG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FIR9N50FG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14.7 nC
trⓘ - Время нарастания: 59.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
FIR9N50FG Datasheet (PDF)
fir9n50fg.pdf
FIR9N50FGN-Channel Power MOSFETPIN Connection TO-220FVDSS 500 VID 9 APD (TC=25) 130 WRDS(ON) 0.68 G Features D S Fast Switching gSchematic dia ram ) Low ON Resistance(Rdson 0.85 D Low Gate Charge (Typical Data:13nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical:12pF) G 100% Single Pulse avalanche energy Test S Applications Power switch circu
fir9n65lg.pdf
FIR9N65LG9A 650V N-CHANNEL MOSFET-E GENERAL DESCRIPTION PIN Connection TO-252(D-PAK)FIR9N65LG is an N-channel enhancement mode power MOS field effect transistor which is produced using Silan proprietary F-CellTMhigh-voltage planar VDMOS technology. The improved process and Dcell structure have been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching
fir9n90fg.pdf
FIR9N90FG900V N-Channel MOSFET -TTO-220F Features: Low Intrinsic Capacitances. Excellent Switching Characteristics. Extended Safe Operating Area. Unrivalled Gate Charge: Qg= 45nC (Typ.). BVDSS=900V,ID=9A RDS(on) : 1.4 (Max) @VG=10V 100% Avalanche Tested1.Gate (G)2.Drain (D)3.Source (S)Absolute Maximum Ratings (Ta=25 unless otherwise noted)
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100