DAC016N120P2 Todos los transistores

 

DAC016N120P2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAC016N120P2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 556 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0223 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L
 

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DAC016N120P2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1769K  dacosemi
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DAC016N120P2

DAC016N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

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DAC016N120P2

DAC016N120Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

 9.1. Size:1112K  dacosemi
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DAC016N120P2

DAC015N065Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 120AD(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

 9.2. Size:1115K  dacosemi
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DAC016N120P2

DAC014N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200V I 135AD(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack

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History: FIR11N90ANG | QM4015D | CSD18532KCS | GSM3302W | HSM4313 | PM557BA

 

 
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