DAC016N120P2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

DAC016N120P2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAC016N120P2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 556 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0223 Ohm

Encapsulados: TO247-4L

Búsqueda de reemplazo de DAC016N120P2 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:1769K dacosemi
dac016n120p2.pdf pdf_icon

DAC016N120P2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Preliminary Features I 115A D(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

4.1. Size:1399K dacosemi
dac016n120z2.pdf pdf_icon

DAC016N120Z2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 1200V Preliminary Features I 115A D(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

9.1. Size:1112K dacosemi
dac015n065z2.pdf pdf_icon

DAC015N065Z2 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET VDSS 650V Features I 120A D(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

9.2. Size:1115K dacosemi
dac014n120z5.pdf pdf_icon

DAC014N120Z5 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Features VDSS 1200V I 135A D(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack