DAC016N120P2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DAC016N120P2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 556 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0223 Ohm
Тип корпуса: TO247-4L
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
DAC016N120P2 Datasheet (PDF)
dac016n120p2.pdf

DAC016N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene
dac016n120z2.pdf

DAC016N120Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B
dac015n065z2.pdf

DAC015N065Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 120AD(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits
dac014n120z5.pdf

DAC014N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200V I 135AD(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: CTD04N5P5 | 2016 | CSP10N4P2 | 2302P | HM30N10D | HM2318APR | 20N60A
History: CTD04N5P5 | 2016 | CSP10N4P2 | 2302P | HM30N10D | HM2318APR | 20N60A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
s9015 transistor | irf540z | ss8550 transistor | irfp240 mosfet | tip141 | 2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent