DAC016N120P2 - аналоги и даташиты транзистора

 

DAC016N120P2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DAC016N120P2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 556 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0223 Ohm
   Тип корпуса: TO247-4L
 

 Аналог (замена) для DAC016N120P2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DAC016N120P2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1769K  dacosemi
 dac016n120p2.pdf pdf_icon

DAC016N120P2

DAC016N120P2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-3L Bene

 4.1. Size:1399K  dacosemi
 dac016n120z2.pdf pdf_icon

DAC016N120P2

DAC016N120Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 1200VPreliminaryFeaturesI 115AD(@25 ) RDS(ON) 16m TO-247-4L B

 9.1. Size:1112K  dacosemi
 dac015n065z2.pdf pdf_icon

DAC016N120P2

DAC015N065Z2Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETVDSS 650VFeaturesI 120AD(@25 ) RDS(ON) 15m TO-247-4L Benefits

 9.2. Size:1115K  dacosemi
 dac014n120z5.pdf pdf_icon

DAC016N120P2

DAC014N120Z5Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFETFeaturesVDSS 1200V I 135AD(@25 ) RDS(ON) 14m TO-247-4L Benefits Pack

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FIR8N70FG , FIR8N80FG , FIR96N08PG , FIR9N50FG , FIR9N65LG , FIR9N90FG , DAC014N120Z5 , DAC015N065Z2 , AO3401 , DAC016N120Z2 , DAC020N065Z1 , DAC021N120Z4 , DAC030N120Z1 , DAC040N120P2 , DAC040N120Z1 , DAC040N120Z5 , DAC060N120P1 .

History: G1815 | SM6A23NSU | UTT12P10 | IRFS7730PBF | IRLZ44Z | 10N70G-TF1-T | APT30M40B2VRG

 

 
Back to Top

 


 
.