DACMH80N1200 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DACMH80N1200

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 184 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: MODULE

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DACMH80N1200 datasheet

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DACMH80N1200

DACMH80N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

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DACMH80N1200

DACMH120N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

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DACMH80N1200

DACMH200N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 1200V RDS(ON)

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DACMH80N1200

DACMH40N1200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features HB-9434 VDSS = 1200V RDS(ON)

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