DACMI450N120BZK3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DACMI450N120BZK3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1360 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 450 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 642 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.005 typ Ohm
Encapsulados: SOT227
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DACMI450N120BZK3 datasheet
dacmi450n120bzk3.pdf
DACMI450N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Typ. 5 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S D G Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Dimensions in inches and (millimeters) Electrically Isolation base plate Applications Solar Inverters Sw
dacmi150n120bzk3.pdf
DACMI150N120BZK3 Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy. 14 m @ VGS = 15V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters S
dacmi180n120bzk.pdf
DACMI180N120BZK Silicon Carbide Enhancement Mode MOSFET Preliminary SOT-227 Features KS G VDSS = 1200V D RDS(ON) Tpy.16 m @ VGS = 18V Fully Avalanche Rated S G D Pb Free & RoHS Compliant KS (Kelvin Source) Isolation Type Package S Electrically Isolation base plate Dimensions in inches and (millimeters) Applications Solar Inverters Swi
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Liste
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