DADMH056N090Z1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DADMH056N090Z1B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1194 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DADMH056N090Z1B MOSFET
DADMH056N090Z1B Datasheet (PDF)
dadmh056n090z1b.pdf

DADMH056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56APreliminaryHB-9434Features VDSS = 900V RDS(ON)
dadmh040n120z1b.pdf

DADMH040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
Otros transistores... DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK , DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , IRFP064N , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 .
History: HM60N20D | APT10M25BVR | IXTH4N150 | IPP085N06LG | IXFR44N50Q | NP80N03NDE | IPP041N04NG
History: HM60N20D | APT10M25BVR | IXTH4N150 | IPP085N06LG | IXFR44N50Q | NP80N03NDE | IPP041N04NG



Liste
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