DADMH056N090Z1B Todos los transistores

 

DADMH056N090Z1B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DADMH056N090Z1B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 148 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1194 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.146 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

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DADMH056N090Z1B Datasheet (PDF)

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DADMH056N090Z1B
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DADMH056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56APreliminaryHB-9434Features VDSS = 900V RDS(ON)

 8.1. Size:478K  dacosemi
dadmh040n120z1b.pdf

DADMH056N090Z1B
DADMH056N090Z1B

DADMH040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)

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