DADMH056N090Z1B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: DADMH056N090Z1B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1194 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.146 Ohm
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DADMH056N090Z1B
DADMH056N090Z1B Datasheet (PDF)
dadmh056n090z1b.pdf
DADMH056N090Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 900V / 56APreliminaryHB-9434Features VDSS = 900V RDS(ON)
dadmh040n120z1b.pdf
DADMH040N120Z1BTDACO SEMICONDUC OR CO., LTD.N-Channel Enhancement ModePower MOSFET 1200V / 40APreliminaryHB-9434Features VDSS = 1200V RDS(ON)
Другие MOSFET... DACMI060N170BZK , DACMI120N120BZK , DACMI150N120BZK3 , DACMI180N120BZK , DACMI240N120BZK , DACMI250N120BZK3 , DACMI450N120BZK3 , DADMH040N120Z1B , BS170 , DADMI040N120Z1B , DADMI056N090Z1B , DAEMI040N120Z1B , DAEMI056N090Z1B , DAMH160N200 , DAMH220N150 , DAMH220N200 , DAMH280N200 .
History: UP9971G-S08-R | LSD65R180GT | CEP3120 | IXTT10P60 | PHP79NQ08LT | OSG60R900AF | IXTL2x240N055T
History: UP9971G-S08-R | LSD65R180GT | CEP3120 | IXTT10P60 | PHP79NQ08LT | OSG60R900AF | IXTL2x240N055T
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210