DAMH300N150 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAMH300N150

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1246 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: MODULE

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DAMH300N150 datasheet

 ..1. Size:285K  dacosemi
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DAMH300N150

DAMH300N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 150V RDS(ON)

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DAMH300N150

DAMH320N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary HB-9434 Features VDSS = 100V RDS(ON)

 9.2. Size:284K  dacosemi
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DAMH300N150

DAMH360N150 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features HB-9434 VDSS = 150V RDS(ON)

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