DAMI160N100 Todos los transistores

 

DAMI160N100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAMI160N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 282 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 712 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227

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DAMI160N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:506K  dacosemi
dami160n100.pdf

DAMI160N100
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DAMI160N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)

 6.1. Size:507K  dacosemi
dami160n200.pdf

DAMI160N100
DAMI160N100

DAMI160N200DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminaryFeaturesSOT-227 VDSS = 200V SG RDS(ON)

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