DAMI160N100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DAMI160N100  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 712 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: SOT227

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DAMI160N100 datasheet

 ..1. Size:506K  dacosemi
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DAMI160N100

DAMI160N100 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET SOT-227 Preliminary Features S G VDSS = 100V RDS(ON)

 6.1. Size:507K  dacosemi
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DAMI160N100

DAMI160N200 DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. N-Channel Enhancement Mode MOSFET Preliminary Features SOT-227 VDSS = 200V S G RDS(ON)

Otros transistores... DAMH280N200, DAMH300N150, DAMH320N100, DAMH360N150, DAMH450N100, DAMH50N500H, DAMH560N100, DAMH75N500H, IRFZ44, DAMI160N200, DAMI220N150, DAMI220N200, DAMI280N200, DAMI300N150, DAMI320N100, DAMI330N60, DAMI360N150