FQP3P20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQP3P20
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
Encapsulados: TO220
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FQP3P20 datasheet
fqp3p20.pdf
April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technology has bee
fqp3p50.pdf
August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP3P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 18 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has bee
Otros transistores... FQB8N90CTM , FQP34N20 , FCPF11N60 , FQP3N30 , FQP3N60C , FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , STF13NM60N , FQP3P50 , FQP44N10 , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B .
History: NCE8804
History: NCE8804
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