DAMI360N150 Todos los transistores

 

DAMI360N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DAMI360N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 360 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0032 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227
 

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DAMI360N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  dacosemi
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DAMI360N150

DAMI360N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesSG VDSS = 150V RDS(ON)

 9.1. Size:510K  dacosemi
dami320n100.pdf pdf_icon

DAMI360N150

DAMI320N100DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETSOT-227PreliminaryFeaturesSG VDSS = 100V RDS(ON)

 9.2. Size:503K  dacosemi
dami330n60.pdf pdf_icon

DAMI360N150

DAMI330N60DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures PreliminarySOT-227 VDSS = 60VSG RDS(ON)

 9.3. Size:510K  dacosemi
dami300n150.pdf pdf_icon

DAMI360N150

DAMI300N150DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.N-Channel Enhancement Mode MOSFETPreliminarySOT-227FeaturesS VDSS = 150V G RDS(ON)

Otros transistores... DAMI160N100 , DAMI160N200 , DAMI220N150 , DAMI220N200 , DAMI280N200 , DAMI300N150 , DAMI320N100 , DAMI330N60 , IRFB4115 , DAMI450N100 , DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA .

History: BL3N100E-D | TDM31050 | ZXMP3A16N8TA | F20W50VX2 | UF830L-TQ2-R | ME4920 | RQK0302GGDQS

 

 
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