P0165EI Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P0165EI  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.6 Ohm

Encapsulados: TO-251

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P0165EI datasheet

 ..1. Size:204K  niko-sem
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P0165EI

N-Channel Enhancement Mode P0165EI NIKO-SEM TO-251 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 650V 10.6 1A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 2

 8.1. Size:188K  niko-sem
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P0165EI

N-Channel Enhancement Mode P0165ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 650V 10.6 1A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 650 V Gate-Source Voltage VGS 30 V TC = 25 C

 9.1. Size:381K  unikc
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P0165EI

P0165AI N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 650V 14 @VGS = 10V 1A TO-251 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 650 V VGS Gate-Source Voltage 30 TC = 25 C 1 ID Continuous Drain Current2 TC = 100 C 0.6 A IDM 3 Pulsed Drain Current1,

Otros transistores... DAMI330N60, DAMI360N150, DAMI450N100, DAMI500N60, DAMI560N100, DAMI660N60, DAMIA1100N100, P0165ED, 2SK3878, P0260EDA, P0260EIA, P0306BT, P0406AK, P0460EDA, P0470ED, P0470ETF, P0470JD