P0306BT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P0306BT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 178 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 162 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1162 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de P0306BT MOSFET
P0306BT Datasheet (PDF)
p0306bt.pdf

N-Channel Logic Level Enhancement P0306BT NIKO-SEM Mode Field Effect Transistor TO-220 Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1.GATE 3.4m 60V 162A G 2.DRAIN 3.SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25 C 162 Continuous Dr
Otros transistores... DAMI500N60 , DAMI560N100 , DAMI660N60 , DAMIA1100N100 , P0165ED , P0165EI , P0260EDA , P0260EIA , IRF1010E , P0406AK , P0460EDA , P0470ED , P0470ETF , P0470JD , P0508AT , P0610BT , P0620ED .
History: CEP3205 | HGW059N12S | PMPB47XP | IXTM10N60 | SWY4N60D | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G
History: CEP3205 | HGW059N12S | PMPB47XP | IXTM10N60 | SWY4N60D | SM6A24NSU | S-LP2307LT1G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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