FQP44N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQP44N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 146 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQP44N10

FQP44N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:607K fairchild semi
fqp44n10.pdf

December 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP44N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 43.5A, 100V, RDS(on) = 0.039 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology is es

0.1. Size:591K fairchild semi
fqp44n10f.pdf

8.1. Size:669K fairchild semi
fqp44n08.pdf

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP44N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 44A, 80V, RDS(on) = 0.034 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 38 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been es

Otros transistores... FCPF11N60 , FQP3N30 , FQP3N60C , FCP11N60 , FQP3N80C , FQP15P12 , FQP3P20 , FQP3P50 , 8205A , FQB11N40C , FQP45N15V2 , FQP46N15 , FQP47P06 , FQP4N80 , IRFU220B , FQP4N90C , FQP4P40 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: