P1120EF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P1120EF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO-220F

 Búsqueda de reemplazo de P1120EF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P1120EF datasheet

 ..1. Size:286K  niko-sem
 p1120ef.pdf pdf_icon

P1120EF

P1120EF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D 200V 280m 11A G 1 GATE 2 DRAIN S 3 SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

Otros transistores... P0770JF, P0865ETF, P0903YK, P0908AK, P1010AT, P1050ETF, P1060ETFNA, P1065ETF, BS170, P1160JD, P1160JF, P1165JD, P1165JFN, P1306ED, P1306EK, P1350ETF, P1406BV