P1120EF Todos los transistores

 

P1120EF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P1120EF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 57 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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P1120EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:286K  niko-sem
 p1120ef.pdf pdf_icon

P1120EF

P1120EF N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D200V 280m 11A G1: GATE 2: DRAIN S3: SOURCE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

Otros transistores... P0770JF , P0865ETF , P0903YK , P0908AK , P1010AT , P1050ETF , P1060ETFNA , P1065ETF , 18N50 , P1160JD , P1160JF , P1165JD , P1165JFN , P1306ED , P1306EK , P1350ETF , P1406BV .

History: IRFU024 | AP6N1R7CDT | VP3203N3 | GP2M007A065XG | SPI21N50C3 | CMD50P03 | AP4501AGEM-HF

 

 
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