P1306EK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: P1306EK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 43 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 69 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 368 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0135 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6P

Búsqueda de reemplazo de MOSFET P1306EK

P1306EK Datasheet (PDF)

..1. Size:352K niko-sem
p1306ek.pdf

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8.1. Size:210K niko-sem
p1306ed.pdf

P-Channel Enhancement Mode P1306ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 13.5m -48A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

9.1. Size:171K motorola
mtp1306rev0.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby MTP1306/DAdvance InformationMTP1306HDTMOS E-FET.High Density Power FETNChannel EnhancementMode Silicon GateTMOS POWER FETThis advanced highcell density HDTMOS power FET is75 AMPERESdesigned to withstand high energy in the avalanche and commuta-30 VOLTStion modes. This new energy efficient design al

9.2. Size:176K motorola
mtp1306.pdf

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Liste

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