P3506ET Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P3506ET  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 152 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TO-220

 Búsqueda de reemplazo de P3506ET MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

P3506ET datasheet

 ..1. Size:199K  niko-sem
 p3506et.pdf pdf_icon

P3506ET

P-Channel Enhancement Mode P3506ET NIKO-SEM TO-220 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -36A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC =

 0.1. Size:200K  niko-sem
 p3506etf.pdf pdf_icon

P3506ET

P-Channel Enhancement Mode P3506ETF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -20A 1. GATE G 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC

 8.1. Size:290K  niko-sem
 p3506ed.pdf pdf_icon

P3506ET

P-Channel Enhancement Mode P3506ED NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY D V(BR)DSS RDS(ON) ID -60V 35m -27A G 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS -60 V Gate-Source Voltage VGS 25 V TC = 2

 8.2. Size:385K  niko-sem
 p3506ek.pdf pdf_icon

P3506ET

P-Channel Logic Level Enhancement Mode P3506EK NIKO-SEM Field Effect Transistor PDFN 5x6P Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID D -60V 35m -27A G Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. S Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. D D D D Optimized Gate Charge to Minimize Switching

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... P2206BV, P2206HK, P2610BI, P2610BK, P2610BTF, P2A06BT, P3506ED, P3506EK, K2611, P3506ETF, P3606BEA, P3606BK, P3606NEA, P3710BK, P3710BT, P3710BTF, P3710HK