P5515BV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P5515BV  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 176 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SOP-8

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P5515BV datasheet

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P5515BV

N-Channel Enhancement Mode P5515BV NIKO-SEM SOP-8 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 150V 55m 3.4A G GATE D DRAIN S SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TA = 25 C

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P5515BV

N-Channel Enhancement Mode P5515BD NIKO-SEM Field Effect Transistor TO-252 Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 150V 55m 24.6A 2. DRAIN 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

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P5515BV

P5515BK N-Channel Enhancement Mode NIKO-SEM PDFN 5x6P Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D D D D D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID G 150V 55m 13.4A G. GATE D. DRAIN S. SOURCE #1 S S S G S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltag

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