PA410BTF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PA410BTF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 29 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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PA410BTF datasheet

 ..1. Size:203K  niko-sem
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PA410BTF

N-Channel Enhancement Mode PA410BTF NIKO-SEM TO-220F Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE 2. DRAIN G 100V 140m 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC

 8.1. Size:737K  unikc
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PA410BTF

PA410BD N-Channel Enhancement Mode MOSFET PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 140m @VGS = 10V 100V 10A TO-252 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage 20 V TC = 25 C 10 ID Continuous Drain Current TC = 100 C 7 A IDM 30 Pulsed Drain Curren

 8.2. Size:302K  niko-sem
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PA410BTF

N-Channel Enhancement Mode PA410BD NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free D PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G 2. DRAIN 100V 140m 10A 3. SOURCE S ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC =

Otros transistores... P9006EVA, P9515BD, PA010BV, PA110BEA, PA110ED, PA110HEA, PA110NK, PA110NV, IRF9540, PA515BD, PA520BA, PA567EA, PA567JA, PA597BA, PA5D8EA, PA5D8JA, PA5S6EA