PA567JA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PA567JA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.41 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.68 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 18 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.52 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23-6
Búsqueda de reemplazo de PA567JA MOSFET
PA567JA datasheet
pa567ja.pdf
Dual P-Channel Logic Level PA567JA NIKO-SEM Enhancement Mode Field Effect SOT-23-6 Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ... See More ⇒
pa567ea.pdf
P-Channel Enhancement Mode PA567EA NIKO-SEM SOT-23-6 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -20V 520m -0.68A Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. ESD Protecti... See More ⇒
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Liste
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