PD5C9BA Todos los transistores

 

PD5C9BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD5C9BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de PD5C9BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PD5C9BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  niko-sem
 pd5c9ba.pdf pdf_icon

PD5C9BA

P-Channel Enhancement Mode PD5C9BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID -40V 44m -19A DGFeatures Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. S Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses. Applications

Otros transistores... PC015BDA , PC015HVA , PC561BA , PD515BA , PD551BA , PD5B3BA , PD5B9BA , PD5C1BA , P60NF06 , PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , PD608BA , PD609CX .

History: VBZE4204 | MSQ27N30 | SM140R50CT2TL | NVMFD5C478N | AOE6932 | NTMFD4C20N | RHU003N03

 

 
Back to Top

 


 
.