PD608BA Todos los transistores

 

PD608BA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD608BA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 97 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 406 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de PD608BA MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PD608BA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  niko-sem
 pd608ba.pdf pdf_icon

PD608BA

N-Channel Enhancement Mode PD608BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G40V 4m 97A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25

Otros transistores... PD5C1BA , PD5C9BA , PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , 10N65 , PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA .

History: SIHLD014 | CSD16404Q5A | PE551BA | HSF10N65 | CSD16407Q5 | HSH120N85 | PD618BA

 

 
Back to Top

 


 
.