PD608BA - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: PD608BA
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 97 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 406 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для PD608BA
PD608BA Datasheet (PDF)
pd608ba.pdf

N-Channel Enhancement Mode PD608BA NIKO-SEM TO-252 Field Effect Transistor Halogen-Free & Lead-Free DPRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID 1. GATE G40V 4m 97A 2. DRAIN 3. SOURCE SABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C Unless Otherwise Noted) PARAMETERS/TEST CONDITIONS SYMBOL LIMITS UNITS Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS 20 V TC = 25
Другие MOSFET... PD5C1BA , PD5C9BA , PD5E8BA , PD5G3EA , PD5P8BA , PD600BA , PD601CX , PD606BA , 13N50 , PD609CX , PD616BA , PD618BA , PD676BA , PD6A4BA , PD6A6BA , PD6B2BA , PD6D2BA .
History: LBSS138WT1G | LBSS139DW1T1G | PD616BA | NTMFS5C670N | PE597BA | IRF7380Q | HSH15810
History: LBSS138WT1G | LBSS139DW1T1G | PD616BA | NTMFS5C670N | PE597BA | IRF7380Q | HSH15810



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834 | 2sd313 transistor equivalent | 2sc871 replacement | a872 transistor | b1560 | 2sa1695