PD609CX Todos los transistores

 

PD609CX MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PD609CX
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252-5
 

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PD609CX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:368K  niko-sem
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PD609CX

N- & P-Channel Enhancement Mode Field PD609CX NIKO-SEM Effect Transistor TO-252-5 Halogen-Free & Lead-Free PRODUCT SUMMARY V(BR)DSS RDS(ON) ID Q2 -40V 60m -17A Q1 40V 25m 22.5A D1D2G1 G2S1 S2Features Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliant. Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses. Ohmic Region Good RDS(on) Ratio. Optimized Gate Charge to

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History: SUU10P10-195 | NVMFS6B14NL | IPA65R065C7

 

 
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